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2023-01-05 15:41:11
陶瓷基片材料
目前，常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化铍(BeO)等。下面分别介绍其性能与技术特点： 1、氧化铝 氧化铝陶瓷呈白色，热导率为20-30W/(m·K)，25°C~200°C温度范围内热膨胀系数为7.0×10-6/°C~8.0×10-6/°C，弹性模量约为300GPa，抗弯强度为300MPa~400MPa，介电常数为10。氧化铝陶瓷具有原料来源丰富、价格低廉、绝缘性高、耐热冲击、抗化学腐蚀及机械强度高等优点，是一种综合性能较好的陶瓷基片材料，占陶瓷基片材料总量的80%以上。但由于其热导率相对较低(99%氧化铝热导率约为30W/(m·K)，热膨胀系数较高，一般应用在汽车电子、半导体照明、电气设备等领域。 深色氧化铝陶瓷封装基板 氧化铝陶瓷基片成型方法主要有轧膜法、流延法和凝胶注膜法等。其中后两种方法采用去离子水代替有机溶剂，既可降低成本，也有利于环保，是Al2O3陶瓷片制备主要研究方向之一。 2、氮化铝 氮化铝材料呈灰白色，属于六方晶系，是以[AlN4]四面体为结构单元的纤锌矿型共价键化合物。该结构决定了其具有优良的热学、电学和力学性能。AlN陶瓷理论热导率可达320W/(m·K)，其商用产品热导率一般为180W/(m·K)~260W/(m·K)[9]，25°C~200°C温度范围内热膨胀系数为4×10-6/°C（与Si和GaAs等半导体芯片材料基本匹配），弹性模量为310GPa，抗弯强度为300MPa~340MPa，介电常数为8~10。 氮化铝陶瓷基板 氮化铝陶瓷热导率为氧化铝陶瓷的6~8倍，但热膨胀系数只有其50%，此外还具有绝缘强度高、介电常数低、耐腐蚀性好等优势。除了成本较高外，氮化铝陶瓷综合性能均优于氧化铝陶瓷，是一种非常理想的电子封装基片材料，尤其适用于导热性能要求较高的领域。 白色氧化铝陶瓷封装基板 总体而言，陶瓷基板在功率器件封装中占据举足轻重的作用，是各国重点研发的关键电子材料。 陶瓷基板核心技术研发包括陶瓷粉料、陶瓷基片及陶瓷基板制备技术等都是非常值得我们关注的领域。 文章转自：粉体圈
2023-01-05 15:41:11
陶瓷基片材料
目前，常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化铍(BeO)等。下面分别介绍其性能与技术特点：
1、氧化铝
氧化铝陶瓷呈白色，热导率为20-30W/(m·K)，25°C~200°C温度范围内热膨胀系数为7.0×10-6/°C~8.0×10-6/°C，弹性模量约为300GPa，抗弯强度为300MPa~400MPa，介电常数为10。氧化铝陶瓷具有原料来源丰富、价格低廉、绝缘性高、耐热冲击、抗化学腐蚀及机械强度高等优点，是一种综合性能较好的陶瓷基片材料，占陶瓷基片材料总量的80%以上。但由于其热导率相对较低(99%氧化铝热导率约为30W/(m·K)，热膨胀系数较高，一般应用在汽车电子、半导体照明、电气设备等领域。
深色氧化铝陶瓷封装基板
氧化铝陶瓷基片成型方法主要有轧膜法、流延法和凝胶注膜法等。其中后两种方法采用去离子水代替有机溶剂，既可降低成本，也有利于环保，是Al2O3陶瓷片制备主要研究方向之一。
2、氮化铝
氮化铝材料呈灰白色，属于六方晶系，是以[AlN4]四面体为结构单元的纤锌矿型共价键化合物。该结构决定了其具有优良的热学、电学和力学性能。AlN陶瓷理论热导率可达320W/(m·K)，其商用产品热导率一般为180W/(m·K)~260W/(m·K)[9]，25°C~200°C温度范围内热膨胀系数为4×10-6/°C（与Si和GaAs等半导体芯片材料基本匹配），弹性模量为310GPa，抗弯强度为300MPa~340MPa，介电常数为8~10。
氮化铝陶瓷基板
氮化铝陶瓷热导率为氧化铝陶瓷的6~8倍，但热膨胀系数只有其50%，此外还具有绝缘强度高、介电常数低、耐腐蚀性好等优势。除了成本较高外，氮化铝陶瓷综合性能均优于氧化铝陶瓷，是一种非常理想的电子封装基片材料，尤其适用于导热性能要求较高的领域。
白色氧化铝陶瓷封装基板
总体而言，陶瓷基板在功率器件封装中占据举足轻重的作用，是各国重点研发的关键电子材料。 陶瓷基板核心技术研发包括陶瓷粉料、陶瓷基片及陶瓷基板制备技术等都是非常值得我们关注的领域。
文章转自：粉体圈
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